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磷化层中金矿崩落技术的详细介绍

发表时间: 2019-11-18 17:21:36浏览: 113
[文本]通过电镀技术填充微孔的过程以“倒装”方式进行,也就是说,在电镀铜的过程中,微孔底部的铜沉积速率最快。的。然而,在IC封装基板的制造中,由于HDI的需求和未来的三维结构,不仅需要填充微通孔,而且还需要填充通孔。在任何情况下,通孔的几何特性(形状,结构,尺寸等)总是与微通孔不同,这不可避免地导致液体(镀液)的流动特性不同。根据文献报道,强制迁移(对流)是微孔通孔填充的重要物理因素,也就是说,强制迁移会强烈影响板的表面,而微孔的强大(动态)影响则是底部可接受是有限的。显然,某些添加剂的化学影响取决于这种迁移关系。因此,在电镀过程中,强制迁移可以促进抑制剂在铜表面上的优先吸附,从而可以通过调节电镀液的流速来很好地改善电镀液的填充性能和效果。从这个角度来看,由于孔的几何形状等的差异,用于填充微孔的镀液的成分与用于填充通孔的镀液的成分不同。用促进剂填充孔的电镀可加快微孔底部的铜沉积速率,可以认为是依赖吸附的迁移。这些镀覆方案可以称为促进剂配方。例如,如果没有在底部填充通孔,就不可能使用含促进剂的配方(仍然有疑问),而不使用不含促进剂的配方,也就是说,它用于沉积铜。通孔。试剂的镀液通过形貌的电压(电流密度)关系被吸附,从而抑制剂的吸附浓度从孔口到孔的中心形成浓度差。在电镀过程中,理想地建立了这种浓度差分布,并且最快的铜沉积速率将在孔的中心发生。在通孔电镀中,非加速剂填充机制的使用是基于吸附-耗尽-扩散模式的改进(调整)。其中,考虑了具有正电荷的添加剂的迁移问题。实际上,由于许多具有季铵盐的流平剂会挤带正电荷,因此当这种添加剂可引起通孔(TH)中心堵塞孔的作用时,由于AFF的迁移,似乎还可以利用微孔的填孔效果。在这种情况下,微孔和TH孔都可以使用AFF来实现连续的孔填充效果。下面,我们将回顾这项研究的可行性。 1实验方法和实验将CO2激光形成的微孔和机械钻孔形成的TH孔用作PCB电镀的样品。 PCB样品为cm乘以6 cm。微通孔和TH孔的壁均进行了电镀铜。为了金属化,然后进行镀铜,并且填充之前的镀铜厚度为2μm,3μm至3μm。两种含磷的铜用作阳极,并直接放入00ml浴中电镀铜。 。将详细讨论电镀槽的情况。用于所有电镀测试的基础电镀液为0.88MCuSO45H2O,0.54MH2SO4,并且其他添加剂(例如SPS,强抑制剂,PEG,聚集剂等)通过稀释的原液和这些添加剂添加到电镀槽中。使用适当的浓度制备储备溶液。使用显微镜通孔和TH孔的横截面(切面)来测量孔的填充性能,并通过光学显微镜进行检查。结果与讨论众所周知,Cl-离子在铜表面的吸附与电势有关。此外,此Cl-离子的潜在电势吸附取决于整个解决方案。当Cl-离子浓度低于20倍,10-6时,只要整个阴极电势高于特定值,PDA行为就是来自铜的Cl-离子。表面解吸的特征在于负离子电荷与强负电荷Cl之间的排斥力。一旦Cl离子浓度高于20倍,10-6,CuCl很容易在铜表面形成,然后PDA将相应消失。
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